飞利浦在1987年创造发明了NAND闪存芯片，直到现在大家早已用上64层三维层叠闪存芯片做成的手机上和电脑磁盘，96层层叠的商品也早已刚开始逐渐问世。但是大家今日要探讨的是下代128层层叠三维闪存芯片商品。

虽然128层层叠现阶段还滞留在技术性方面上，根据不久前的ISSCC（IEEE国际性固体电源电路高峰会）大家可以寻找一些相关将来闪存芯片技术性的发展前景。

在三维闪存芯片的发展趋势在历史上，飞利浦声称自身是最开始明确提出三维层叠闪存芯片技术性的企业（二零零七年），但是最开始将三维闪存芯片带到规模性运用的则是三星（二零一三年，24层层叠）。现阶段三星早已公布了第六代V-NAND的方案，预估选用11X层（110~120）层叠。

与之相匹配的是飞利浦BiCS5，预估选用128层层叠，二者都是有TLC和QLC二种种类。下面的图是飞利浦在ISSCC上公布的BiCS5 三维 TLC闪存芯片重要主要参数，特别注意的是它一样选用4广告设计，载入速率较三星高些。

比照彼此公布的基本参数能够发觉，飞利浦BiCS5在存储密度和载入速率上有着明显优点，而三星V-NAND V6则凭着升级的Toggle 4.0闪存芯片插口获得了载入延迟时间层面的领跑。（PCEVA我注：Toggle是由飞利浦和三星在二零一零年相互明确提出的闪存芯片接口规范，危害闪存芯片与固态盘主控芯片中间的通讯速率）

除开特性以外，成本管理一样是三维闪存芯片技术性优势的一个反映。终究三维闪存芯片的面世关键便是为了更好地处理半导体材料工艺缩微短板，助推闪存芯片存储密度持续升高、每GB价钱持续降低。

根据单Die容积与面积换算的結果看来，飞利浦BiCS闪存芯片在存储密度上的优点显著。但是这可否能最后转换为制造成本上的领跑，也要遭受别的众多要素的相互危害。

下列是根据公布方式搜集到的各闪存芯片原装全新三维闪存芯片技术性规格型号，国内还需再接再厉提高本身竞争能力，发展趋势技术性造就成本费优点，先度过眼下闪存芯片价钱持续降低的严冬。