点击右上角关注我们，每天给您带来最新最潮的科技资讯，让您足不出户也知道科技圈大事！

去年大多数旗舰手机还在使用 UFS 2.1 闪存，部分产品迎来了 UFS 3.0。今年初 UFS 3.0 开始普及，而现在三星已经开始量产 512GB UFS 3.1 闪存，那么它会是下一代旗舰手机必备吗？

三星表示这款 512GB eUFS 3.1 闪存芯片与前代商品、固态硬盘以及 MicroSD 卡等产品相比，可以提供更快的数据传输体验。其连续写入速度超过 1.2GB/s，是前代产品的三倍。

此外，这款产品的连续写入速度可达 2100MB/s，随机读取和写入速度分别为 100000 IOPS 和 70000 IOPS。

以三星提供的数据计算，这款 eUFS 3.1 芯片的速度可以达到 SATA 硬盘的两倍以上，比目前市面上常见的 UFS 3.0 快 60%。

三星 eUFS 3.1 产品线还包括 128GB 和 256GB 容量版本，低容量版本的速度会受到一定影响，但毫无疑问也是目前手机存储当中的顶尖水平。

目前三星位于平泽工厂的 P1 生产线已经开始生产第六代 V-NAND，位于西安的新 X2 生产线也已经开始生产第五代 V-NAND。这些将会主要用于三星旗下的固态硬盘和 UFS 等产品。

具体产品方面，昨天根据官方爆料，Redmi K30 Pro 将会采用 UFS 3.1 存储，相信未来采用这款产品的旗舰手机将会越来越多。

推荐阅读：中国城市文化网